说明：
现代半导体制造的目标是为便携式产品开发具有越来越小和更薄封装的电子设备。实现这一目标最重要的步骤之一是通过机械研磨工艺将加工后的硅晶片从背面减薄至 50μm 以下。为了避免应力和亚表面损伤，这对表面粗糙度要求非常高，在最终研磨步骤中，该粗糙度可能在 1 nm Ra 的范围内。测量这一等级的表面粗糙度的常用方法是通过共聚焦显微镜 (CFM)、白光干涉仪 (WLI) 或原子力显微镜 (AFM) 进行单点或是划线测量。但这些仪器的缺点是对机械环境噪声敏感，测量时间长。这里，我们将介绍一种新型的散射光测量方法，该方法能够在不到 30 秒的时间内测量直径300 mm整个晶圆表面。除了粗糙度，传感器还同时测量翘曲、波纹度和缺陷。同时将展现采用不同粒度研磨表面的测试结果分析。 晶圆表面加工工艺过程极小和高密度电子产品的趋势需要先进的工艺来满足设备的厚度和热性能规格。这意味着处理后的硅晶片必须从其原始厚度超过 700 µm 减薄至 50 µm 或更小。最常见且成本相对较低的减薄方法是通过机械去除残余硅的背面研磨。晶片固定在多孔真空吸盘上，IC（集成电路）面朝下。砂轮的旋转轴与晶片的旋转轴离轴定位（距离是晶片的半径）。卡盘呈略呈圆锥形的形状，以很小的倾斜度使晶片变形，以确保砂轮在研磨过程中仅接触晶片的一半。由于卡盘的旋转和砂轮的同时旋转，在晶片表面上产生了典型的螺旋划痕图案。根据砂轮的粒度以及转速和进给率等加工参数，这种机械冲击是造成粗糙度、应力和诱发亚表面损伤的原因。因此，现代晶圆磨床从粗砂轮开始，先是快速去除多余硅，最后使用小粒度砂轮进行精细研磨。当减薄至 50 µm 以最大程度地减少次表面损伤和应力时，这个最终过程是绝对必要的。表面粗糙度通常应在 Ra 当前标准测量方法的局限性是砂轮与其大量单刀刃的相互作用，与硅表面经历不均...